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中芯國際披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%

中芯國際表示,為加強在先進制程方面的技術實力,公司不斷加大先進制程的研發投入,相繼實現了28nm HKC+工藝、第一代 14nm FinFET工藝的研發和量產,第二代14nm FinFET工藝的研發也在穩健進行中,并不斷拓展成熟工藝應用平臺,因此公司研發費用率高于可比上市公司。

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