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格芯最先進FinFET工藝12LP+大功告成:性能增加20%

目前,12LP+已經在AI訓練芯片領域通過了IP驗證,可減少生產成本、創造更大價值。

中芯國際披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%

中芯國際表示,為加強在先進制程方面的技術實力,公司不斷加大先進制程的研發投入,相繼實現了28nm HKC+工藝、第一代 14nm FinFET工藝的研發和量產,第二代14nm FinFET工藝的研發也在穩健進行中,并不斷拓展成熟工藝應用平臺,因此公司研發費用率高于可比上市公司。

中芯國際將在年底前啟動12nm FinFET工藝試產

有媒體援引知情人士的話稱,中芯國際(SMIC)已經啟動了14nm FinFET工藝芯片的量產,且計劃年底前進行12nm FinFET的風險試產。

中芯國際宣布14納米工藝獲得重大進展 股價漲超7%

中芯國際發布了2018年第二季度財報數據,營收凈利潤獲得雙增長,同時中芯國際披露其14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。財報發布后的首個交易日,中芯國際股價大漲7.2%,收盤報6.37美元。

根據美國德克薩斯州聯邦法院的裁決,三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利,必須賠償4億美元。韓國科學技術院(KAIST)在美國的授權機構起訴三星電子,稱其曾經宣稱要與韓國大學共同研究FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,但很快就放棄,改變主意從Intel那里購買授權,不過三星還是使用了他們的技術,卻并非付費。

率先突破!三星開始量產10nm芯片 Galaxy S有望配備

10月17日消息,據國外媒體報道,三星今天宣布已經開始批量生產具有10納米FinFET技術的SoC芯片,將成為業界率先實現這一突破的公司,這也是繼2015年1月成功批量生產業界第一款FinFET移動應用處理器之后的成果。

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